产品特性:大功率 | 品牌:西门康 | 型号:SKKT15/12E |
封装:标准封装 | 批号:20+ | 系列:/ |
断态电压:/ | 栅极触发电压(Vgt):/ | 栅极触发电流(Igt):/ |
保持电流最大值(Ih):/ | 正向重复电压(Vdrm):/ | 反向重复电压(Vrrm):/V |
通态电流最大值(It(RMS)):/ | 不重复浪涌电流(Itsm):/ | 工作温度范围:20~160℃ |
安装类型:/ | 应用领域:***/航天、 医疗电子、 智能家居、 家用电器、 新能源 |
欣茂泰电子科技,主营IGBT模块,二极管,可控硅,整流桥的有销售经验的公司。公司以经营进口电子元器件为主,同时提供相关的技术支持及技术服务。公司经营的有***的IR(美国国际整流器),SEMIKRON(西门康),
MITSUBISHI(三菱),INFINEON(英飞凌)SANREX(三社),IXYS(艾塞斯),FUJU(富士),等***模块,同时也经营销售美国巴斯曼BUSSMANN熔断器西门子快速熔断器等公司的元器件。
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德国SEMIKRON西门康二极管模块--二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。
二极管的电路符号。二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。
伏安特性:二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示 。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏 。
正向特性:外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。